【台积电(TSM.US)涨超 1.7%，报 184.3 美元】消息称，台积电在 2nm 制程节点获重大突破，将首用 Gate-all-around FETs 晶体管技术。 相较当前 N3E 工艺，N2 工艺在相同功率下性能可提升 10%至 15%，相同频率下功耗能降低 25%至 30%。 台积电每片 300mm 的 2nm 晶圆价格或超 3 万美元，高于此前预期的 2.5 万美元，目前 3nm 晶圆约 1.85 万至 2 万美元，4/5nm 晶圆在 1.5 到 1.6 万美元之间。 【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com